SK海力士或將于2月開始量產1c DRAM

MoneyToday 在之前的報道中透露，SK 海力士最快將于 2 月成為全球第一家使用 1c 工藝大規模生產 DRAM 的公司。根據該報告，SK 海力士最近完成了 1c DDR5 的量產認證。

三星的 HBM4 生產面臨潛在的延遲

然而，消息人士告訴 MoneyToday，雖然三星在 2024 年底獲得了其首款功能齊全的 1c DRAM 芯片，但它未能達到目標良率，通常為 60-70% 的量產準備。

值得注意的是，報告補充說，由良率問題引起的延遲也可能影響三星計劃在 2025 年下半年量產的 HBM4。

根據該報告，該行業通常認為每一代的開發周期為 18 個月。雖然三星于 2022 年 12 月開發了第 5 代 10 納米級 (1b) DRAM，并于 2023 年 5 月宣布量產，但此后一直沒有關于其 1c DRAM 進展的消息。

三星追趕的希望可能變得更加渺茫，因為其 HBM 的主要競爭對手似乎正在走上正軌。根據 ZDNet 此前的報道，SK 海力士計劃最早在 2025 年 6 月向 NVIDIA 運送 HBM4 樣品，預計第三季度末左右開始全面產品供應。MoneyToday 報告引發了人們的擔憂，即 1c DRAM 開發的延遲肯定會影響三星的 HBM 計劃。雖然 DDR5 是 1c 的核心產品，但 HBM 的開發通常稍后進行。正如 MoneyToday 所強調的那樣，如果 1c DRAM 生產在 2025 年底開始，HBM4 的生產可能會進一步推遲到 2026 年。為避免最壞的情況，該報告表明三星正在對 1c DRAM 設計進行調整，并將盡最大努力加快開發過程。